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4 / 7 page ![]() LP7801T-01 Dec.-2019 Email: marketing@lowpowersemi.com www.lowpowersemi.com Page 4 of 7 LP7801T 电气参数 (TA = 25°C. VIN = 5V,除非特别说明.) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 充电部分 VIN 输入工作电压 4.5 5 5.8 V IIN 输入待机电流 VBAT=4.3V 200 uA VOVP 过压保护电压 VIN 上升 6.3 V VOCP-HYS 过压保护迟滞电压 400 mV VUV 输入欠压保护 3.3 V VFLOAT 电池充满电压 4.158 4.2 4.242 V IBAT 电池端电流 ISET=17.5K,充电模式 100 mA ISET=3.4K,充电模式 515 mA VBAT=4.2V 1 uA VBAT=4.2V,VIN=0,EN=0 1 uA VTRIKL 涓流充电电压阈值 2.6 V ITRIKL 涓流充电电流 VBAT< VTRIKL 10 %IBAT ITERM 终止充电电流阀值 10 %IBAT ΔV RECHRG 再充电电压阈值 150 mV ICHRG CHRG 管脚电流 VBAT=4.3V 5 uA VISET ISET 电压 VTRIKL <VBAT< 4.15 1 V VTS-L TS 低电压阀值 电压从高往下降 30 %VIN VTS-H TS 高电压阀值 电压从低往上升 60 %VIN VTS-HYS TS 迟滞电压 30 mV 放电部分 Vout 升压输出电压 5.1 V VBL 升压最低工作电压 从低往上升 1 V Iout 放电电流 500 mA IBAT 待机电流 VBAT=3.7V,VEN=H/悬空,无负载 1 uA FSW 开关频率 1.2 MHz VEN_ON EN 开启电压阀值 0.9 V VEN_OFF EN 关断电压阀值 0.8 V IEN EN 管脚电流 EN=5V 0.01 uA ILIMIT 开关电流限制 1 A RON_HIGH 高端 MOS 开启内阻 160 mΩ RON_LOW 低端 MOS 开启内阻 220 mΩ OTP 过温保护 150 ℃ |
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