| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDP4D5N10C датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDP4D5N10C датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor FDP4D5N10C · FEATURES · With TO-220 packaging · High speed switching · Low gate input resistance · Standard level gate drive · Easy to use · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · Power supply · Switching applications · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-Continuous;@Tc=25℃ Tc=100℃ 128 91 A IDM Drain Current-Single Pulsed 512 A PD Total Dissipation 37.5 W Tj Operating Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance 4.0 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - FDP4D5N10C |
|
Аналогичное описание - FDP4D5N10C |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |