| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM3416NSC датащи(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM3416NSC датащи(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 7 page ![]() Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V Drain Current-Continuous ID 6.5 A Drain Current-Pulsed Note1 IDM 30 A Maximum Power Dissipation PD 1.4 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG 150,-55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Note2 RθJA 89 ℃ / W PJM3416NSC N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 1 / 7 Applications Load switch PWM applications Features VDS = 20V,ID = 6.5A RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V High power and current handing capability ESD protected(HBM) up to 2KV Schematic diagram Absolute Maximum Ratings Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Thermal Characteristics Marking: P16 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 May-2019 D S G 1. Gate 2.Source 3.Drain SOT-23-3 2 1 3 |
Аналогичный номер детали - PJM3416NSC |
|
Аналогичное описание - PJM3416NSC |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |