 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM35N30DI датащи(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM35N30DI датащи(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
1 / 4 page  PJM35N30DI N-Channel Power MOSFET www.pingjingsemi.com 1 / 4 Revision：1.0 Dec-2018 Absolute Maximum Ratings Ratings at TC =25℃ unless otherwise specified. Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 35 A Pulsed Drain Current Note1 IDM 120 A Power Dissipation PD 35 W Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 150, -55 to 150 °C Thermal Characteristics Parameter Symbol Typ. Units Maximum Junction-to-Case Note2 RθJC 3.6 °C/W RDS(ON) = 4.7mΩ @ VGS=10V (Typ.) High density cell design for ultra low RDS(on) Fully characterized avalanche voltage and current DFN3.3X3.3-8L Schematic Diagram Features Applications ⚫ Power switching application ⚫ Hard switched and high frequency circuits ⚫ Uninterruptible power supply S S S G D D D D 1 2 Gate Source 3Drain |
Аналогичный номер детали - PJM35N30DI |
|
Аналогичное описание - PJM35N30DI |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
