 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM07P20SA датащи(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM07P20SA датащи(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
1 / 6 page  PJM07P20SA P Enhancement Field Effect Transistor 1 / 6 www.pingjingsemi.com Revision：1.0 Jun-2019 Features VDS=-20V, ID=-7A RDS(on)=30mΩ (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge Applications Load Switch and in PWM Applications SOT-23 1 2 Gate Source 1. Gate 2.Source 3.Drain Schematic Diagram Drain 3 Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25℃ unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage -VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current -ID 7 A Power Dissipation PD 0.9 W Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 150, -55 to 150 °C Thermal Characteristics Parameter Symbol Typ. Units Maximum Junction-to-Ambient Note1 RθJA 139 °C/W |
Аналогичный номер детали - PJM07P20SA |
|
Аналогичное описание - PJM07P20SA |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
