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HM5903 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

номер детали HM5903
подробное описание детали  1A lithium battery charging and 5V/1A boost control chip
PDF  9 Pages
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производитель  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5903 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

  HM5903 Datasheet HTML 1Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 2Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 3Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 4Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 5Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 6Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 7Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 8Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5903 Datasheet HTML 9Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd  
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background image
4
                          
 
符号
参数
条件
 
最小值 典型值 最大值
单位
VCC
输入电源电压
 
●
4.0
5
9.0
V
 
 
 
ICC
 
 
 
输入电源电流
充电模式，R
PROG=10K
待机模式（充电终止）停
机模式（R
PROG
未连接，
VCC<VBAT
，或V
CC
<VUV
）
升压启动
●
●
●
 
150
 
40
 
40
 
40
 
0
500
 
100
 
100
 
100
μA
μA
μA
μA
μA
VFLOAL
稳定输出（浮充）电压
0
℃≤T
A
≤85℃，I
BAT=40mA
 
4
．158
4
．2
4
．242
V
 
 
IBAT
 
BAT
引脚电流
(
除说明外Vbat=4.0v)
RPROG=1.5K
，充电模式
RPROG=1.1K
，充电模式
升压无负载，V
BAT
=3.8V
●
●
●
700
 
950
740
 
1000
－10
800
 
1050
－100
mA
 
mA
μA
ITRIKL
涓流充电电流
VBAT<VTRIKL,RPROG=1.5K
●
150
200
250
mA
VTRIKL
涓流充电门限电压
RPROG=1.5K,VBAT
上升
 
2.8
2.9
3.0
V
VUV
VCC
欠压闭锁门限
从V
CC
低至高
●
3.4
3.6
3.8
V
ITERM
C/5
终止电流门限
RPROG=1.5K
●
150
200
250
mA
VPROG
PROG
引脚电压
RPROG=1.5K
，充电模式
●
0.9
1.0
1.1
V
 
V
 
CHRG 引脚输出低电压
 
I
=5mA
  
0.3
 
0.6
 
V
 
V
 
引脚输出低电平
 
I
=5mA
  
0.3
 
0.6
 
V
ΔV
RECHRG
再充电电池门限电压
VFLOAT-VRECHRG
 
100
150
200
mV
TLIM
限定温度模式中的结温
  
 
120
 
℃
 
充电R
ON
充电MOS 管“导通”电
阻（在V
CC
与BAT 之间）
  
 
450
 
 
m
Ω
tss
软启动时间
IBAT=0
至I
BAT=1200V/RPROG
  
20
 
us
tTERM
终止比较器滤波时间
IBAT
降至I
CHG/5
以下
 
0.8
1.8
4
ms
VOUT
升压输出5V
负载电阻RL=1k
 
4.875
5
5.125
V
VBatLOW
电池欠压保护
Vbat
从3.6V 下降
●
2.9
3
3.1
V
VBatHigh
电池欠压保护解锁
Vbat
从2.7V 上升
●
3.2
3.3
3.4
V
FOSC
振荡频率
  
300
400
500
KHZ
η 升压
升压效率
VBAT=3.8V
IOUT=500mA
  
90
 
％
η 升压
升压效率
VBAT=3.8V
IOUT=1000mA
  
88
 
％
Dty
最大占空比
  
 
75
 
％
升压R
ON
升压NMOS 管内阻
VLX=0.4V
  
120
 
m
Ω
ILxleak
升压NMOS 管漏电流
VLX=6V
  
 
1
uA
Ilmt_nmos
升压开关管限流
  
 
4
4.5
A
电特性
凡表注●表示该指标适合整个工作温度范围，否则仅指TA=25℃，VCC=5V除非特别注明。
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
CHRG
STDBY
CHRG
STDBY
HM5903



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