поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

HM5483 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

номер детали HM5483
подробное описание детали  High-precision built-in MOSFET lithium battery protection circuit
PDF  10 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5483 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

  HM5483 Datasheet HTML 1Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 2Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 3Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 4Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 5Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 6Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 7Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 8Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5483 Datasheet HTML 9Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 4 / 10 page
background image
4
电气参数
(除非特别注明，典型值的测试条件为：
VDD = 3.6V，TA = 25℃。标注“”的工作温度为：－40℃≤TA≤85℃)
[表-4] 电气参数
参数名称
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
供电电源
VCC
1.5
10
V
过电压充电保护阈值
（由低到高）
VOC
VOCTYP-0.025
VOCTYP
VOCTYP+0.025
V
VOCTYP-0.080
VOCTYP
VOCTYP+0.080
V
过电压充电恢复阈值
（由高到低）
VOCR
VOCRTYP-0.050
VOCRTYP
VOCRTYP+0.050
V
VOCRTYP-0.080
VOCRTYP
VOCRTYP+0.080
V
过电压充电保护延迟时间
tOC
VCC=3.6V4.4V
0.7×tOCTYP
tOCTYP
1.3×tOCTYP
ms
过电压放电保护阈值
（由高到低）
VOD
VODTYP-0.075
VODTYP
VODTYP+0.075
V
VODTYP-0.105
VODTYP
VODTYP+0.105
V
过电压放电恢复阈值
（由低到高）
VODR
VODRTYP-0.075
VODRTYP
VODRTYP+0.075
V
VODRTYP-0.105
VODRTYP
VODRTYP+0.105
V
过电压放电保护延迟时间
tOD
VCC=3.6V2.4V
0.7×tODTYP
tODTYP
1.3×tODTYP
ms
过电流放电保护阈值
VEDI
VEDITYP-0.020
VEDITYP
VEDITYP+0.020
V
过电流放电保护延迟时间
tEDI
0.7×tEDITYP
TEDITYP
1.3×tEDITYP
ms
过电流放电恢复延迟时间
tEDIR
1.20
1.80
2.40
ms
电池短路保护阈值
VSHORT
Voltage of VM
0.82
1.36
1.75
V
电池短路保护延迟时间
tSHORT
200
300
450
μs
充电器检测电压
VCHG
VCC=3.0V
-0.27
-0.5
-0.86
V
VM 至 VCC 之间的上拉电阻
RVMD
VCC =1.8V,
VM=0V
100
300
900
kΩ
VM 至 GND 之间的下拉电阻
RVMS
15
30
45
kΩ
电源电流
ICC
VCC =3.9V
2.0
6.0
μA
低功耗模式静态电流
IPDWN
VCC =2.0V
0.7
1.0
μA
0V 充电允许电压阈值
（
0V 充电允许型号）
V0V_CHG
Charger Voltage
1.2
V
0V 充电禁止阈值
（
0V 充电禁止型号）
V0V_INH
Battery Voltage,
VM=-2.0V
1.2
V
N-MOSFET
漏
-源极击穿电压
(MOS-D 至 P- / MOS-D 至
GND)
BVDS
VGS=0, ID=250μA
20
V
击穿电压温度系数
Δ
BVDS/ΔTj Reference
to
25oC, ID=1mA
0.1
V/oC
静态源
-源极通态电阻 (P-至
GND)
RSS(ON)
VGS=3.7V, IO=1A
30
40
mΩ
VGS=2.7V, IO=1A
35
50
mΩ
连续漏电流
IDS
Tj=25oC
5
A
漏
-源极漏电流
(MOS-D 至 P- / MOS-D 至
GND)
IDSS
VDS=19V,VGS=0V
Tj=25oC
1
μA
注：
1. 除非特别注明，所有电压值均相对于VSS而言
2. 参见应用线路图-3。
HM5483



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com