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HM5452 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

номер детали HM5452
подробное описание детали  High-precision built-in MOSFET lithium battery protection circuit
PDF  11 Pages
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производитель  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5452 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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电气参数
(除非特别注明，典型值的测试条件为：
VDD = 3.6V，TA = 25℃。标注“”的工作温度为：－40℃≤TA≤85℃)
[表-4] 电气参数
参数名称
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
供电电源
VCC
1.5
10
V
过电压充电保护阈值
（由低到高）
VOC
VOCTYP-0.050
VOCTYP
VOCTYP+0.050
V
VOCTYP-0.080
VOCTYP
VOCTYP+0.080
V
过电压充电恢复阈值
（由高到低）
VOCR
R1=100Ω
(note)
VOCRTYP-0.050
VOCRTYP
VOCRTYP+0.050
V
VOCRTYP-0.080
VOCRTYP
VOCRTYP+0.080
V
过电压充电保护延迟时间
tOC
VCC=3.6V→4.4V
0.7×tOCTYP
tOCTYP
1.3×tOCTYP
ms
过电压放电保护阈值
（由高到低）
VOD
VODTYP-0.075
VODTYP
VODTYP+0.075
V
VODTYP-0.105
VODTYP
VODTYP+0.105
V
过电压放电恢复阈值
（由低到高）
VODR
VODRTYP-0.075
VODRTYP
VODRTYP+0.075
V
VODRTYP-0.105
VODRTYP
VODRTYP+0.105
V
过电压放电保护延迟时间
tOD
VCC=3.6V→2.4V
0.7×tODTYP
tODTYP
1.3×tODTYP
ms
过电流放电保护阈值
VEDI
VEDITYP-0.020
VEDITYP
VEDITYP+0.020
V
过电流放电保护延迟时间
tEDI
0.7×tEDITYP
TEDITYP
1.3×tEDITYP
ms
过电流放电恢复延迟时间
tEDIR
1.20
1.80
2.40
ms
电池短路保护阈值
VSHORT
Voltage of VM
0.7
1
1.3
V
电池短路保护延迟时间
tSHORT
20
50
100
μs
过电流充电保护阈值
VECI
VECITYP-0.020
VECITYP
VECITYP+0.020
充电器检测电压
VCHG=VECI VCC=3.0V
VECITYP-0.020
VECITYP
VECITYP-0.020
V
VM 至 VCC 之间的上拉电阻
RVMD
VCC =1.8V,
VM=0V
100
300
900
kΩ
VM 至 GND 之间的下拉电阻
RVMS
15
30
45
kΩ
电源电流
ICC
VCC =3.9V
2.0
6.0
μA
低功耗模式静态电流
IPDWN
VCC =2.0V
0.7
1.0
μA
0V 充电允许电压阈值
（
0V 充电允许型号）
V0V_CHG
Charger Voltage
1.2
V
0V 充电禁止阈值
（
0V 充电禁止型号）
V0V_INH
Battery Voltage,
VM=-2.0V
1.2
V
N-MOSFET
漏
-源极击穿电压
(MOS-D 至 P- / MOS-D 至
GND)
BVDS
VGS=0, ID=250μA
20
V
击穿电压温度系数
Δ
BVDS/ΔTj Reference
to
25oC, ID=1mA
0.1
V/oC
静态源
-源极通态电阻 (P-至
GND)
RSS(ON)
VGS=3.7V, IO=1A
38
50
mΩ
VGS=2.7V, IO=1A
42
60
mΩ
漏
-源极漏电流
(MOS-D 至 P- / MOS-D 至
GND)
IDS
VDS=16V,VGS=0V
Tj=25oC
1
μA
VDS=16V,VGS=0V
Tj=70oC
25
μA
注：
1. 除非特别注明，所有电压值均相对于VSS而言
2. 参见应用线路图-3。
HM5452



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