| поискавой системы для электроныых деталей |
|
UT9435G-TN3-R датащи(PDF) 5 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UT9435G-TN3-R датащи(HTML) 5 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
5 / 9 page ![]() MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted * The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit. Current Derating* 0.0 3.4 6.8 10.2 13.6 17.0 0 25 50 75 100 125 150 TC - Case Temperature (°C) Power, Junction-to-Foot TC - Case Temperature (°C) 0.0 1.2 2.4 3.6 4.8 6.0 0 25 50 75 100 125 150 Power Derating, Junction-to-Ambient 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 25 50 75 100 125 150 TA - Ambient Temperature (°C) E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw UT9435G-TN3-R 5 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |