3LP03M

No.8154-1/4

3LP03M

特長

・低オン抵抗。

・高速スイッチング。

・2.5V 駆動。

・高静電耐量 (TYP300V) [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

ドレイン・ソース電圧

VDSS

−30

V

ゲート・ソース電圧（*1）

VGSS

−10

V

ドレイン電流（DC）

ID

− 0.25

A

ドレイン電流（パルス）

IDP

PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%

− 1

A

許容損失

PD

0.15

W

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

(*1) : 本製品は、ゲート酸化膜保護用 G-S 間 Di が片側となっているため、回路設計において御注意下さい。

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

min

typ

max

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS

ID=− 1mA, VGS=0

− 30

V

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS=− 30V, VGS=0

− 1

µA

ゲート・ソースもれ電流

IGSS

VGS=− 8V, VDS=0

− 1

µA

ゲート・ソースしゃ断電圧

VGS(off)

VDS=− 10V, ID=− 100µA− 0.4

− 1.4

V

順伝達アドミタンス

VDS=− 10V, ID=− 120mA

0.24

0.4

S

RDS(on)1

ID=− 120mA, VGS=− 4V

1.5

1.9

Ω

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)2

ID=− 60mA, VGS=− 2.5V

2.0

2.8

Ω

RDS(on)3

ID=− 10mA, VGS=− 1.5V

4.0

8.0

Ω

入力容量

Ciss

VDS=− 10V, f=1MHz

40

pF

出力容量

Coss

VDS=− 10V, f=1MHz

8

pF

帰還容量

Crss

VDS=− 10V, f=1MHz

4.5

pF

ターンオン遅延時間

td(on)

指定回路において

9.5

ns

立ち上がり時間

tr

指定回路において

5

ns

ターンオフ遅延時間

td(off)

指定回路において

15

ns

下降時間

tf

指定回路において

13

ns

単体品名表示：XG

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P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

汎用スイッチングデバイス

22805PE TS IM ◎川浦 TA-101199

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

注文コード No. N8154