 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISCPL185D датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCPL185D датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL185D · FEATURES · Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤60mΩ(@VGS= -10V; ID= -15A) · Advanced trench process technology · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · Inverters · DC / DC converter · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-Continuous -30 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 120 W Tj Max. Operating Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(j-c) Channel-to-case thermal resistance 1.25 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - ISCPL185D |
|
Аналогичное описание - ISCPL185D |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
