| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM3420NSA датащи(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM3420NSA датащи(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 6 page ![]() PJM3420NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 3 / 6 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Sep-2018 Electrical Characteristics Curves 0 5 0 5 10 15 20 0 8 10 0 20 40 60 80 0.2 1.0 1E-3 0.01 0.1 1 0 4 0 5 10 15 20 25 100 125 0.6 0.7 0.8 0.9 2 0 8 10 0 20 40 60 80 V GS =4.5V 4V 3.5V 3V 2.5V 2V V GS =1.5V Ta=25℃ Pulsed Output Characteristics 1 23 4 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V DS (V) I D =6A Ta=25℃ Pulsed —— V GS R DS(ON) 2 46 GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) V SD I S —— Ta=25℃ Pulsed 0.4 0.6 0.8 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V SD (V) V DS =5V Ta=25℃ Pulsed Transfer Characteristics 12 3 GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) Threshold Voltage I D =250uA 50 75 JUNCTION TEMPERATURE PERAT J (℃) V GS =1.8V V GS =2.5V V GS =4.5V V GS =10V —— I D R DS(ON) Ta=25℃ Pulsed 46 DRAIN CURRENT I D (A) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |