| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM2324NSA датащи(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2324NSA датащи(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 6 page ![]() PJM2324NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 0 5 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 00 34 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 0.0 0.2 1.4 1.6 1E-3 0.01 0.1 1 6 25 125 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 0 112 160 180 200 220 240 260 280 V GS=3.8V V GS=3.5V V GS=8V,10V,12V 1 23 4 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V DS (V) Pulsed V GS=3V Ta=100℃ Pulsed 2 46 8 GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) I D=0.8A Ta=25℃ Pulsed —— V GS R DS(ON) 1 34 GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) V DS=3V Pulsed T a=100 ℃ T a=25 ℃ Transfer Characteristics Ta=100℃ Pulsed 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V SD (mV) Ta=25℃ Pulsed V SD I S —— Output Characteristics 50 75 100 JUNCTION TEMPERATURE T J (℃) I D=250uA Threshold Voltage VGS=6V VGS=4.5V 12 DRAIN CURRENT I D (A) Ta=25℃ Pulsed VGS=10V —— I D R DS(ON) www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Sep-2018 3 / 6 Typical Characteristics Curves |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |