| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FJB102TM датащи(PDF) 3 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FJB102TM датащи(HTML) 3 Page - ON Semiconductor |
|
3 / 7 page ![]() © 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com FJB102 Rev. 1.1.0 2 Electrical Characteristics Values are at TC = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Conditions Min. Max. Unit BVCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC = 30 mA, IB = 0 100 V BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 500 µA, IC = 0 10 V ICBO Collector Cut-Off Current VCB = 100 V, IE = 0 50 µA ICEO Collector Cut-Off Current VCE = 50 V, IB = 050 µA IEBO Emitter Cut-Off Current VEB = 5 V, IC = 0 2 mA hFE DC Current Gain VCE = 4 V, IC = 3 A 1000 20000 VCE = 4 V, IC = 8 A 200 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 3 A, IB = 6 mA 2.0 V IC = 8 A, IB = 80 mA 2.5 VBE(on) Base-Emitter On Voltage VCE = 4 V, IC = 8 A 2.8 V Cob Output Capacitance VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz 200 pF |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |