| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFP10N80P датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFP10N80P датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 7 page ![]() IXFA10N80P IXFP10N80P IXFQ10N80P IXFH10N80P IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. Fig. 7. Input Admittance 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 3.54.0 4.55.0 5.5 6.0 6.5 VGS - Volts - 40 oC 25 oC TJ = 125 oC Fig. 8. Transconductance 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0123456789 10 ID - Amperes TJ = - 40 oC 25 oC 125 oC Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 5 10 15 20 25 30 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 VSD - Volts TJ = 125 oC TJ = 25 oC Fig. 10. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 5 10 15 20 25 30 35 QG - NanoCoulombs VDS = 400V I D = 3.5A I G = 10mA Fig. 11. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area 0.1 1 10 100 10 100 1,000 VDS - Volts TJ = 150 oC TC = 25 oC Single Pulse 1ms 100μs RDS(on) Limit 25μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |