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HM5513 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

номер детали HM5513
подробное описание детали  High precision built-in MOSFET single-cell lithium battery protection IC
PDF  11 Pages
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производитель  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5513 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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background image
5 极限参数
参数
符号
值
单位
VDD 输入电压
VDD
-0.3 ~ 10
V
VM 输入电压
Vm
-3 ~ 6
V
结温范围
TJ
-40 ~ 150
℃
存储温度范围
Tstg
-60 ~ 150
℃
热阻（结温到环境）
θ
JA
50
℃
/W
人体模型（HBM）
ESD
4
KV
*高于绝对最大额定值部分所列数值的应力有可能对器件造成永久性的损害，在任何绝对最大额定值条件下
暴露的时间过长都有可能影响器件的可靠性和使用寿命。
6 电气特性
除特别说明，TA=25℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型
值
最大值
单位
电压检测
过充电压
VCU= 4V~4.575V，
25mv step
VCU
VCU-0.05
VCU
VCU+0.05
V
过充恢复电压
VCU= 3.85V~4.4V，
50mv step
VCL
VCL-0.1
VCL
VCL+0.1
V
过放电压
VCU= 2.3V~3V，
100mv step
VDL
VDL-0.1
VDL
VDL+0.1
V
过放恢复电压
VCU= 2.4V~3.1V，
100mv step
VDR
VDR-0.1
VDR
VDR+0.1
V
充电检测电压
VCHA
-0.12
-0.2
V
过充电压保护延迟时间
tCU
240
320
400
ms
过放电压保护延迟时间
tDL
40
80
120
ms
电流检测
放电过流
IIOV= 1.5A，
IIOV
85% VIOV
VIOV
115% VIOV
A
HM5513



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