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HM4082 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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4 / 9 page ![]() 4 存储温度……………………………-60℃to +150℃ 6、HM4082 推荐工作条件 表 6.1、HM4082 推荐工作条件 参数 最小值 典型值 最大值 单位 备注 电源电压 4.5 5.0 6.5 V 单节电池充电 电源电压 8.8 10.0 12 V 双节电池充电 环境温度 -20 70 ℃ 7、HM4082 性能参数 表 7.1、HM4082 性能参数(一节电池,Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 上电复位电压 上电复位 VPOR 3.6 V Standby 模式 VOUT 漏电流 VBAT=3.7V 20 uA VOUT 悬空、PDN=0 100 uA VIN 电源电流 VOUT 悬空、PDN=1 或悬空 1 mA 电压调整 输出电压 4.158 4.20 4.242 V Dropout 电压 200 mV 充电电流 恒流充电电流 A Icc VRREF>1.3V、VBAT=3.7V 540 600 660 mA 预充电电流 A Ipre VRREF>1.3V、VBAT=2.0V 75 mA 恒流充电电流 B Icc VRREF<0.4V、VBAT=3.7V 100 mA 预充电电流 B Ipre VRREF<0.4V、VBAT=2.0V 12 mA 恒流充电电流 C Icc RREF=35K、VBAT=3.7V 600 mA 预充电电流 C Ipre RREF=35K、VBAT=2.0V 75 mA 再充电、预充电电压 预充电阈值电压 Vpre 2.8 3.0 3.2 V 再充电阈值电压 Vrhg 4.10 V 温度监测 低温阈值电压 高温阈值电压 折返阈值 85 100 115 ℃ 折返电流增益 100 mA/℃ 振荡器 振荡频率 CREF=20nF 333 Hz 振荡周期 CREF=20nF 2.4 3.0 3.6 mS 逻辑电平 逻辑高电平 VH 2 V HM4 |
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