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HM4039 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

номер детали HM4039
подробное описание детали  5V input two-cell lithium battery boost charging circuit
PDF  11 Pages
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производитель  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4039 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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___________________________________________________ 直流电特性
(如无特别说明，VIN = 5V5%，TA = 25℃，VBAT = 7.6V，RISET = 5.1KΩ，EN接高)
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VIN
输入电源电压
3.0
5.0
20
V
VUVLO
欠压保护电压
VIN上升
2.6
2.9
V
VUVLO_HYS
欠压保护迟滞
100
mV
VOVP
过压保护电压
VIN上升
5.9
6.3
V
VOVP_HYS
过压保护迟滞
350
mV
ICC
输入电源电流
待机模式（充电终止）
0.5
1.0
mA
停机模式（
EN为低）
0.1
5
uA
VFLOAT
稳定输出（浮充）电压
8.32
8.4
8.48
V
IBAT
BAT引脚电流
RISET=5.1KΩ，充电模式
0.9
1.0
1.1
A
RISET=3.6KΩ，充电模式
1.35
1.5
1.65
A
待机模式（充电终止），
VBAT=8.4V
230
uA
VIN不接或停机模式（EN
为低），
VBAT=8.4V
2.3
5
uA
VTRIKL
涓流充电门限电压
VBAT上升
5.6
V
VTRHYS
涓流充电迟滞电压
340
mV
VSHORT
短路保护电压
2.0
V
ITRIKL
涓流充电电流
VSHORT<VBAT<VTRIKL，
充电模式
250
mA
ISHORT
短路保护电流
VBAT<VTRIKL
160
mA
ITERM
充电终止电流门限
60
100
150
mA
ΔVRECHRG
再充电电池门限电压
120
200
280
mV
VSYS
VSYS端电压范围
VBAT≤5.6V
5.6
6.0
6.3
V
5.6V<VBAT≤8.4V
VBAT
+0.1
V
fOSC
开关频率
750
KHz
VINSL
输入电压下降保护
ILIM接低
375
mV
ILIM接高
500
mV
ILIM悬空
650
mV
RLON
低端驱动
MOS导通电阻
110
mΩ
RHON
高端驱动
MOS导通电阻
100
mΩ
RBON
阻断
MOS导通电阻
70
mΩ
5V
输入两节锂电池升压充电电路
HM4039



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