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LP35122 датащи(PDF) 6 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. |
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6 / 7 page ![]() LP35122 高性能副边同步整流驱动芯片 LP35122_CN_DS_Rev.0.95 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only 准确的判断同步整流管的开启。 同步整流管关断 为了避免同步整流管导通时,因激磁振荡幅度较 大,导致误检测关断信号,使同步整流管异常的 关断;LP35122 采用专利的周期追踪技术以及设 定的整流管关断第一电压阈值和第二电压阈值, 能准确地判断同步整流管的关断。 VD 与 DRAIN 之间电阻 VD 与 DRAIN 之间串 10~50Ω电阻增强可靠性 VCC 与 GND 之间电容 VCC 与 GND 和输出电容正负两端连接走线很短, 且明确走线无干扰,可以不加 VCC 旁路电容;若 走线较长,且不确定走线的干扰程度,VCC 最好 加旁路电路(大于 100nF) VCC 与输出正端之间电阻 VCC 与输出电容正端之间加适当的电阻 (小于 500 Ω,电阻尽量靠近 VCC 管脚),可以改善走线干 扰,加强芯片可靠性。 保护功能 LP35122 集成了 VCC 欠压保护,过压钳位,以及 驱动脚去干扰等技术。 PCB 设计 在设计 LP35122 PCB 时,需要遵循以下指南: 主功率回路走线要短粗; 主功率回路不要包围芯片; VCC 和 VSS 尽量靠近输出电容两端; VCC 旁路电容尽量靠近 VCC 和 VSS; DRV 与功率管栅极的连线越短越好; PGND 与功率管源极的连线越短越好; VD 引脚的铺铜面积适当大些以提高芯片散热。 |
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