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LP35116

高性能副边同步整流驱动芯片

LP35116_CN_DS_Rev.1.0

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串接 500Ω~1KΩ电阻加强 VCC 供电，效率比典型应用高

一些，如图 15

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 15

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片的带

载能力 100W~200W。说明：VOUT 与输出电容正端之间

串接 500Ω~1KΩ电阻的作用是防止 VOUT 与输出电容正

端连接走线过长，较强的干扰信号导致 VOUT 脚损伤。

情况 3：从变压器绕组取电（D1、R1、C1），加强 VCC 供

电，效率比典型应用高一些。

特别注意 VOUT 此种接法供电时，要注意 VOUT 电压范

围是 6.5V~40V，D1 用 1N4148，R1 根据实际需要选取适

当的阻值进行限流，C1 容量 2.2uF~10uF，耐压要大于

VOUT 承受的最大电压，如图 16

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 16

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片的带

载能力 100W~200W。

情况 4：变压器增加辅助绕组取电（L1、D1、C1、R1），

加强 VCC 供电。效率比典型应用高一些

特别注意 VOUT 此种接法供电时，要注意 VOUT 电压范

围是 6.5V~40V，D1 用 1N4148，R1 根据实际需要选取适

当的阻值进行限流，C1 容量 2.2uF~10uF，耐压要大于

VOUT 承受的最大电压如图 17

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 17

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片的带

载能力 100W~200W。

以上多样化的 VCC 供电技术，可以保证 LP35116 在多种输

出电压条件时，VCC 供电脚都不会欠压。

备注：

以上供电方式： MOS 管的 Ciss 越小，VDS 平台电压越

低，频率越小（建议频率小于 66KHz），芯片的温升效果越

好，即带载能力越强

VOUT 脚任何应用下均不能悬空；

同步整流放输出下端，VOUT 脚与系统输出 Vo 正端

连接时，Vo 输出电压必须>6.5V，否则会造成系统工作不

正常。这种接法适用于输出电压>6.5V 且固定的电源系统，

对于快充、PD 等输出电压会变化的电源系统不适用。

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