| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPT2601F датащи(PDF) 4 Page - SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPT2601F датащи(HTML) 4 Page - SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. |
|
4 / 6 page ![]() 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号:S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第 4 页 共 6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 TGLITCH(DM)LOW D-低电平扰动滤波时间 1 ms TGLITCH(V)CHANGE 输出电压扰动滤波时间 20 40 60 ms TGLITCH(CONT)CHANGE 连续模式的扰动滤波时间 100 150 200 us RDAT(LKG) D+漏泄电阻 VDD=3.1-7V, V(D+)=0.5-3.6V, 开关 N1 断开 300 500 800 KΩ RDM(DWN) D-下拉电阻 14.25 19.53 24.5 KΩ RON(N1) 开关 N1 导通电阻 VDD=3.1-7V, V(D+)≤3.6V, IDRAIN=200uA 20 40 Ω CDAT 数据线电容 1 nF VTH(PD) 受电设备连接检测电压阈值 0.25 0.325 0.4 V TDPD 受电设备连接检测滤波时间 120 160 200 ms ΔIT(UP) 电压升高时电流源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA ΔIT(DO) 电压降低时电流源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA TDUR(step) 电压变化时步进持续时间 QC3.0 mode 80 100 120 us DCP 1.2V 充电模式 VDAT(1.2V) D+/D-数据线电压 1.08 1.2 1.32 V RDAT(1.2V) D+/D-数据线输出阻抗 100 KΩ Apple 2.4A 充电模式 VDAT(2.7V) D+/D-数据线电压 2.57 2.7 2.84 V RDAT(2.7V) D+/D-数据线输出阻抗 33.6 KΩ FCP 充电模式 VTX-VOH D- FCP TX Valid High 2.35 3.6 V VTX-VOL D- FCP TX Valid Low 0.3 V VRX-VIH D- FCP RX Valid High 1.5 3.6 V VRX-VIL D- FCP RX Valid High 1.0 V RPD D-下拉阻抗 400 500 600 Ω UI Unit Interval for PHY FCLK=125KHz 144 160 176 us Trise FCP Pulse Rise Time 10% - 90% 1 2.5 us Tfall FCP Pulse Fall Time 90% - 10% 1 2.5 us |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |