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LP10R100C

高性能副边同步整流驱动芯片

LP10R100C_CN_DS_Rev.0.99

www.chip-hope.com

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内部结构框图

电源产生模块

VREF

IREF

Vref

UVLO

POK

LOGIC

Driver

VCC

GND

SR_ON

POK

原边开通判定

最小

死区时间

Vref

-0.2V

OFF_EN

-5mV

钳位电路

OFF1

OFF2

CMP1

CMP2

CMP

图 4 LP10R100C 内部框图

应用信息

LP10R100C 是一款高性能高耐压的副边同步整流

芯片，适用于隔离型的同步整流应用，适用于正

激和反激系统，支持 DCM，BCM，CCM 和 QR

多种工作模式。LP10R100C 采用专利的整流管开

关技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动

芯片误动作以及在 CCM 工作条件下纯电压判定

的关断延迟造成的效率损失。LP10R100C 集成

VCC 供电技术，在不需要辅助绕组供电的情况下，

保证芯片 VCC 不会欠压。

启动

当系统上电后，通过内置 MOS 的体二极管对输出

电容充电，输出电压上升。LP10R100C 通过 D 脚

连接输出电压，当输出电压上升时，经过芯片内

部供电电路，给 VCC 电容充电，当 VCC 的电压

充到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始工

作，MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通时，

电流不再从体二极管流过，而从 MOS 的沟道流过。

芯片正常工作时，所需的工作电流仍然会通过 D

脚，给 VCC 供电。

同步整流管导通

DCM 工作时，由于电感的激磁作用，当初级芯片

关断时，会产生振荡。为了防止误检测振荡信号，

导致同步整流管的异常开启， LP10R100C 采用专

利的整流管开通技术。

当初级芯片关断时，次级 LP10R100C 的漏极 D 与

GND 之间的电压迅速下降。 LP10R100C 通过检

测 D 和 GND 之间的下降电压阈值和下降速率，能

准确的判断同步整流管的开启。

同步整流管关断

为了避免同步整流管导通时，因激磁振荡幅度较

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