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LP10R045S

高性能副边同步整流驱动芯片

LP10R045S_CN_DS_Rev.0.98

www.chip-hope.com

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内部结构框图

电源产生模块

VREF

IREF

Vref

UVLO

POK

LOGIC

Driver

VCC

GND

SR_ON

POK

原边开通判定

Vref

-0.2V

-5mV

钳位电路

OFF1

OFF2

CMP1

CMP2

CMP

图 4 LP10R045S 内部框图

应用信息

LP10R045S 是一款高性能的副边同步整流芯片，

集成同步整流 MOS，适用于隔离型的同步整流应

用，支持 DCM，BCM，CCM 和 QR 多种工作模

式。LP10R045S 采用专利的整流管开关技术，可

以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作

以及在 CCM 工作条件下纯电压判定的关断延迟

造成的效率损失。LP10R045S 采用特有的 VCC 供

电技术，可以保证在原边控制系统恒流和恒压两

种工作状态下，芯片都不会欠压工作。

启动

当系统上电后，通过内置 MOS 的体二极管对输出

电容充电，输出电压上升。LP10R045S 通过 VS

脚连接输出电压。当输出电压上升时，经过芯片

内部供电电路，给 VCC 电容充电，当 VCC 的电

压充到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始

工作，MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通

时，电流不再从体二极管流过，而从 MOS 的沟道

流过。芯片正常工作时，所需的工作电流仍然通

过 VS 脚，给 VCC 供电。

同步整流管导通

DCM 工作时，由于电感的激磁作用，当初级芯片

关断时，会产生振荡。为了防止误检测振荡信号，

导致同步整流管的异常开启， LP10R045S 采用专

利的整流管开通技术。

当初级芯片关断时，次级 LP10R045S 的漏极 D 与

GND 之间的电压迅速下降。 LP10R045S 通过检

测 D 和 GND 之间的下降电压阈值和下降速率，能

LP10R045S датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

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