2013/12/20 

p.4 

EMDA2N20F

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature ( °C )

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 10.5A

V   = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.05

2

0.10

0.20

0.15

GS

46

T   = 25°C

A

A

0.40

0.30

0.25

0.35

0.45

810

I   = 10.5 A

D

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

3

10

0

20

4

GS

V   = 10V

40

30

50

60

DS

A

6

5

7

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

V     ‐   Dr a i n ‐ So u r c e   Vo l t a g e (   V   )

DS

8. 0V

V     =   15V

7. 0 V

GS

On ‐ Re g i o n   C h ar ac t e r i s t i c s

0. 1

1

10

100

0. 1

1

10

100

10V

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

1.3

0.9

0

1.1

1.0

1.2

10

20

1.6

1.4

1.5

1.7

40

8.0 V

10 V

50

I   ‐ Drain Current( A )

D

GS

V    = 7 V

15 V

30

TYPICAL CHARACTERISTICS