| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FTD2011 датащи(PDF) 2 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FTD2011 датащи(HTML) 2 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
2 / 2 page ![]() www.kexin.com.cn 2 SMD Type MOSFET ■ Electrical Characteristics Ta = 25℃ Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage VDSS VGS=0V,ID=1mA 20 V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V 1 μA Gate-Body Leakage IGSS VGS=±8V,VDS=0V ±10 μA Cutoff Voltage VGS(off) VDS=10V, ID=1mA 0.5 1.3 V VGS=4V,ID=4A 30 mΩ VGS=2.5V,ID=2A 45 mΩ On-State Drain Current ID(ON) VDS=5V,VGS=4.5V 18 A Forward Transconductance gFS VDS=5V,ID=5A 5 S Input Capacitance Ciss 900 pF Output Capacitance Coss 260 pF Reverse Transfer Capacitance Crss 200 pF Turn-On Delay Time tD(on) 15 ns Rise Time tr 150 ns Turn-Off Delay Time tD(off) 100 ns Fall Time tf 150 ns Total Gate Charge Qg 32 nC Gate-S ource Charge Qgs 1.5 nC Gate-Drain Charge Qgd 6 nC VDS = 10V, ID = 4A,VGS = 10V RDS(ON) Drain- Source on-state Resistance VDD=10V,ID=4A,VGS=4V, RL=2.5Ω,RGEN=50Ω VDS = 10V, VGS = 0V,f =1.0MHZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FTD2011 ■ Marking Marking 2011 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |