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4 / 12 page ![]() 南京拓品微电子有限公司 NanJing Top Power ASIC Corp. Rev1.2 极限值范围 参数 极限值 单位 电源输入 V CC -0.3~12 V OB、CS 端口电压 -0.3~12 V FB 端口电压 -0.3~12 V 工作结温度 150 ℃ 存储温度 -55~150 ℃ 焊接温度(10S) 260 ℃ 电性能参数 (T A=25℃,Vout=5V,TP1001 为例,有特别说明除外。 ) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 芯片工作电源 启动阈值电压 VCC(ST) VCC 从 0 上升 6.5 7 7.5 V 最小工作电压 VCC(MIN) VCC 下降 2 V 最大工作电压 VCC(MAX) VCC(ST)+1.5 VCC(ST)+2 VCC(ST)+2.5 V 芯片工作电流 ICC(OPR) VCC=5V,芯片启 动后(无负载) 650 760 1000 μA 芯片启动电流 IST VCC=5V,芯片启 动前 3.5 5 μA FB 反馈 FB轻载反馈电压 VFB 167 mV FB 上拉电流 FB I 200 300 400 μA 电流采样 电流采样电压 VCS 740 mV CS 端漏电流 ICS VIS=4V 0.5 μA 三极管基区驱动 OB 驱动电流 40 50 65 mA OB 下拉 NMOS 管内阻 ON R sin 0.48 k IA 0.83 1.5 Ω 开关频率 SW f 输出满载 54 60 66 KHz 其他参数 前沿消隐时间 LEB t 300 ns 温度保护点 MAX T 120 ℃ |
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