南京拓微集成电路有限公司

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附件：

内置 MOS 管 TP8350、TP8356 驱动大电流高效率方案

输入电源为锂电池（3.2v≤Vin≤4.2v）

1．驱动负载 150mA≤Io≤500mA

（1）TP8350 典型应用电路

锂电池输入条件下 TP8350 驱动大负载电路

建议各器件参数 L=47uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N5817\1N5818\1N5819，

Cout 为 20uF 电解电容（或 20uF 胆电容串联 0.5 欧姆电阻）和 0.1uF 陶瓷电容并联。

驱动 400mA 负载下，效率高于 80%

（2）TP8356 典型应用电路

锂电池输入条件下 TP8350 驱动大负载电路

建议各器件参数 L=100uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N5817\1N5818\1N5819，

Cout 为 20uF 电容（不分电解电容、胆电容）串联 0.5 欧姆电阻和 0.1uF 陶瓷电容并联。

驱动 400mA 负载下，效率高于 80%

2． 驱动负载 Io<150mA 时

TP8350、TP8356 外围器件参数参照 TP83 规格书中典型应用电路的参数。

注意：TP8350、TP8356 应用中陶瓷电容 0.1uF~1uF 必须接上，并且靠近芯片输出端。