2015/5/6 

p.4 

EMB07N04H

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

20

DS

12

8.0V

V   = 10V

40

60

7.0V

GS

4.5V

3

45

On‐Region Characteristics

100

80

6.0V

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

6.0 V

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

20

40

2.2

1.8

2.0

2.4

60

80

7.0 V

8.0 V

10 V

100

I   ‐ Drain Current( A )

D

GS

V    = 4.5 V

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 24A

V   = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

T   = ‐55° C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

10

0

20

3

GS

V   = 10V

40

30

50

60

DS

A

5

4

6

25° C

125° C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V   = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0

2

0.005

0.015

0.010

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.035

0.025

0.020

0.030

0.040

8

10

I   = 16 A

D

TYPICAL CHARACTERISTICS