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3 / 5 page ![]() SP4533 1A 同步移动电源方案 Ver1.1 TPOWER Semiconductor 3 深圳市天源中芯半导体有限公司 3 于未给定的上下限参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。 电气参数 无特殊说明, VDD=5V,Ta=25℃ 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 充电输入电压 4.3 5 5.5 V VBAT 预设充电电压 VSEL 接地 4.15 4.2 4.25 V VSEL 悬空 4.30 4.35 4.4 V IBAT BAT 恒流充电电流 恒流充电模式 1 A ITRK BAT 涓流充电电流 涓流充电模式 100 mA VTRK 涓流充电阈值电压 VBAT 上升 2.9 V VTRK_HYS 涓流充电滞回电压 100 mV TST 充电温度补偿阈值 120 ℃ TZERO 充电零电流温度 135 ℃ VUV_BAT BAT 欠压锁定阈值电 压 VBAT 上升 3.2 V VWN_BAT BAT 低压报警电压 VBAT 下降 3.0 V VBAT_END BAT 放电终止电压 2.85 V ISD_BAT BAT 待机电流 VBAT=3.7V 50 80 uA VSD VDD-VBAT 锁定阈值 VDD 上升 180 mV VDD 下降 80 mV VOUT 升压输出电压 ILOAD=1A,VBAT=3.7V 4.8 5V 5.2 V ILEDx LEDx 驱动电流 BAT=4V 2 mA FLED1_C LED1 充电闪烁频率 1 Hz FLED2_WN LED2 低电报警频率 1 Hz RON_CHRG 充电 PMOS 导通电阻 300 m Ω RON_NMOS 放电 NMOS 导通电阻 55 m Ω RON_PMOS 放电 PMOS 导通电阻 55 m Ω FOSC 升压电路工作频率 0.7 1 1.3 MHz |
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