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2SC5946 датащи(PDF) 1 Page - Panasonic Semiconductor |
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1 / 2 page ![]() 1 発行年月 : 2004年6月 SJC00316AJD トランジスタ 2SC5946 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形 高周波増幅・発振・混合用 ■ 特 長 • トランジション周波数f T が高い • SSS ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピ ングによる自動挿入が可能 ■ 絶対最大定格 T a = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)VCBO 30 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO 20 V エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)VEBO 3V コレクタ電流 IC 50 mA コレクタ損失 PC 100 mW 接合温度 Tj 125 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +125 °C 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)VCBO IC = 100 µA, I E = 030 V エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)VEBO IE = 10 µA, IC = 03 V ベース・エミッタ間電圧 VBE VCB = 10 V, IE = −2 mA 720 mV 直流電流増幅率 hFE VCB = 10 V, I E = −2 mA 25 250 トランジション周波数 * fT VCB = 10 V, IE = −15 mA, f = 200 MHz 800 1 600 MHz 帰還容量( ベース接地)Crb VCE = 6 V, IC = 0, f = 1 MHz 0.8 pF 帰還容量(エミッタ接地)Cre VCB = 10 V, I E = −1 mA, f = 10.7 MHz 1.0 1.5 pF 電力利得 PG VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz 20 dB Unit : mm ■ 電気的特性 T a = 25°C ± 3°C 注 )1. 測定方法は, 日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : パルス測定 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector SSSMini3-F1 Package 形名表示記号 : 9N 0.33 (0.40) (0.40) 12 3 5˚ 0.80±0.05 1.20±0.05 +0.05 –0.02 0.10 +0.05 –0.02 0.23 +0.05 –0.02 |
Аналогичный номер детали - 2SC5946 |
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