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2SC5946 датащи(PDF) 1 Page - Panasonic Semiconductor

номер детали 2SC5946
подробное описание детали  2SC5946
PDF  2 Pages
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производитель  PANASONIC [Panasonic Semiconductor]
домашняя страница  http://www.panasonic.com/industrial/
Logo PANASONIC - Panasonic Semiconductor

2SC5946 датащи(HTML) 1 Page - Panasonic Semiconductor

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1
発行年月 : 2004年6月
SJC00316AJD
トランジスタ
2SC5946
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
高周波増幅・発振・混合用
■ 特 長
• トランジション周波数f
T が高い
• SSS ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピ
ングによる自動挿入が可能
■ 絶対最大定格 T
a
= 25°C
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)VCBO
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)VEBO
3V
コレクタ電流
IC
50
mA
コレクタ損失
PC
100
mW
接合温度
Tj
125
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +125
°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)VCBO
IC
= 100 µA, I
E
= 030
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)VEBO
IE = 10 µA, IC = 03
V
ベース・エミッタ間電圧
VBE
VCB = 10 V, IE = −2 mA
720
mV
直流電流増幅率
hFE
VCB
= 10 V, I
E
= −2 mA
25
250
トランジション周波数 *
fT
VCB = 10 V, IE = −15 mA, f = 200 MHz
800
1 600
MHz
帰還容量( ベース接地)Crb
VCE = 6 V, IC = 0, f = 1 MHz
0.8
pF
帰還容量(エミッタ接地)Cre
VCB
= 10 V, I
E
= −1 mA, f = 10.7 MHz
1.0
1.5
pF
電力利得
PG
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz
20
dB
Unit : mm
■ 電気的特性 T
a
= 25°C ± 3°C
注 )1. 測定方法は,
日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : パルス測定
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Package
形名表示記号 : 9N
0.33
(0.40)
(0.40)
12
3
0.80±0.05
1.20±0.05
+0.05
–0.02
0.10
+0.05
–0.02
0.23
+0.05
–0.02


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