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HT2535S

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高精度 CC/CV 原边控制器

Ver1.1

致最大输出功率 PoMAX 和恒定输出电流的改变。

为补偿由于原边电感变化而导致功率的变化，FSW

需由内部环路锁定为：FSW=1/2TDemag

由于 TDemag 与原边电感 LP 成反比，所以

LPFSW 是恒定的，因此在 CC 模式下，最大输出

功率与输出电流是恒定的，不会由于原边电感的改

变而改变。原边电感变化在±10%间可以补偿。

频率抖动技术

HT2535S 使用了频率抖动技术，可以很好的改善

开关电源系统的 EMI 性能。

电流检测和前沿消隐

HT2535S 内部具有逐周期电流限制（Cycle-by-

Cycle Current Limiting）功能。开关电流通过检测

电阻输入到 CS 引脚。引脚内部的前沿消隐电路可

以消除 MOSFET 开启瞬间由于 snubber 二极管反

向恢复造成的感应电压毛刺，因此 CS 输入端的外

接 RC 滤波电路可以省去。限流比较器在消隐期间

被禁止而无法关断内置功率 MOSFET。PWM 占空

比由电流检测端的电压和 EA 输出端的电压决定。

可编程的输出线损补偿

HT2535S 使用了可编程的输出线损补偿，极大地

提高了负载调整率。在 INV 端由于内部电流流入分

压电阻产生压降，而电流的大小与 COMP 端的电

压成反比，所以该压降与输出负载电流成反比，当.

负载电流从满载到空载下降时，INV 端的压降是增

长的。通过对分压电阻阻值的调整实现可编程的输

出线损补偿。

栅极驱动

太弱的栅驱动强度会导致过大的开关损失，而太强

的驱动会产生过大的 EMI。HT2535S 通过内建图

腾柱栅极驱动电路的优化设计，实现了输出强度和

死区时间控制两者之间的良好折中。从而可以更容

易的设计出理想的低待机损耗和 EMI 系统。

HT2535S 还在栅极驱动输出端内置了 12V 的嵌位

电路，有效地保护了内置高压功率 MOSFET 开关

管。

内置输出线损补偿

HT2535S 使用了内置输出线损补偿，极大地提高

了负载调整率。CB 端电压与输出负载电流成正比，

当负载电流从空载到满载上升时，CB 端的压降是

增长的。CB 电压转换成内部补偿电流变化，实现

输出线损补偿功能。

保护控制

HT2535S 提供了全面的保护特性，系统可以获得

最高可靠性。其中包括逐周期限流保护（OCP），

片上 VCC 过压嵌位以及低压关断（UVLO）。

VCC 高于过压保护阈值时将嵌位。当 VCC 低于

UVLO 门限的时候，芯片被关断，随后进入上电启

动程序。

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