| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTK102N30P датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTK102N30P датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTK102N30P ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID=0.25mA 300 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID=0.5mA 2.5 5.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=51A 33 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±20V;VDS=0V ± 0.2 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=300V; VGS= 0V;Tj=25℃ VDS=300V; VGS= 0V;Tj=150℃ 25 250 μ A VSDF Diode forward voltage ISD=102A, VGS = 0 V 1.5 V |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |