| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5778 датащи(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5778 датащи(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
2 / 4 page ![]() 2SC5778 No.6992-2/4 0 0 2 IC -- VCE IT03523 IT03525 IT03524 IT03526 6 4 14 12 10 8 12 56 34 789 10 0 0 IC -- VBE 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.4 1.2 8 6 16 14 12 10 4 2 1.0 hFE -- IC 23 5 7 2 2 35 7 0.1 1.0 10 10 2 3 5 100 7 2 3 5 7 0.1 VCE(sat) -- IC 23 5 7 2 2 35 7 1.0 10 3 10 0.1 1.0 2 3 5 7 2 3 5 7 5 7 IB=0 0.1A 0.2A 0.4A 0.6A 0.8A 1.2A 1.6A 2.0A 1.0A 1.8A 1.4A Ta=120 °C 25° C --40 °C Ta= --40° C 120 °C 25°C VCE=5V VCE=5V IC / IB=5 Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V Collector Current, IC -- A Collector Current, IC -- A Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit DC Current Gain hFE1VCE=5V, IC=1A 8 hFE2VCE=5V, IC=11A 4 7 Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=10A, IB=2.5A 3.0 V Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=10A, IB=2.5A 1.5 V Storage Time tstg IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A 3.0 µs Fall Time tf IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A 0.2 µs Diode Forward Voltage VF IEC=12A 2.2 V Switching Time Test Circuit VR RB VCC=200V VBE= --2V + + 50 Ω INPUT OUTPUT RL=28.6Ω 100 µF 470 µF PW=20 µs IB1 D.C. ≤1% IB2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |