| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5776 датащи(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5776 датащи(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
2 / 4 page ![]() 2SC5776 No.6990-2/4 0 0 1 IC -- VCE IT03553 IT03555 IT03554 IT03556 3 2 9 8 7 6 5 4 12 56 34 789 10 0 0 IC -- VBE 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 6 5 9 7 8 3 4 2 1 1.0 hFE -- IC 23 5 7 2 3 5 7 0.1 1.0 10 10 2 3 5 2 3 5 7 0.1 VCE(sat) -- IC 23 5 7 2 3 5 7 1.0 10 10 0.1 1.0 2 3 5 7 2 3 5 7 5 7 IB=0 0.1A 0.2A 0.4A 0.6A 1.0A 2.0A 1.8A 1.6A 1.4A 1.2A 0.8A VCE=5V Ta=120 °C 25° C --40 °C VCE=5V Ta= --40 °C 120 °C 25° C IC / IB=5 Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V Collector Current, IC -- A Collector Current, IC -- A Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit DC Current Gain hFE1VCE=5V, IC=1A 8 hFE2VCE=5V, IC=4.5A 4 7 Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=4A, IB=1A 3.0 V Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=4A, IB=1A 1.5 V Storage Time tstg IC=3A, IB1=0.5A, IB2=--1.5A 3.0 µs Fall Time tf IC=3A, IB1=0.5A, IB2=--1.5A 0.2 µs Diode Forward Voltage VF IEC=6.5A 2.2 V Switching Time Test Circuit VR RB VCC=200V VBE= --2V + + 50 Ω INPUT OUTPUT RL=66.7Ω 100 µF 470 µF PW=20 µs IB1 D.C. ≤1% IB2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |