| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISCD1836 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCD1836 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc P-Channel MOSFET Transistor ISCD1836 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= -0.25mA -30 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID= -0.25mA -2 -1 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= -10V; ID= -70A 4.2 mΩ VGS= -4.5V; ID= -70A 6.8 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= -20V; VDS= 0V -100 nA IDSS Drain-Source Leakage Current VDS= -30V; VGS= 0V; Tj=25℃ -1 μ A VDS= -30V; VGS= 0V; Tj=175℃ -300 μ A VSD Diode forward voltage IF= -70A, VGS = 0V -1.1 V |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |