| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISC1862 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC1862 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademar 1 isc Silicon NPN RF Transistor ISC1862 DESCRIPTION · Collector Current :IC= 100mA · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 12V(Min) · High gain: ︱ S21e ︱ 2 = 11 dB (typical) ( IC=20mA,f=1GHz) · Gain bandwidth product: fT = 7 GHZ (typical) (IC=20mA) APPLICATIONS · Designed for VHF, UHF and CATV high frequency wideband low noise amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base Voltage 3.0 V IC Collector Current-Continuous 100 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ |
Аналогичный номер детали - ISC1862 |
|
Аналогичное описание - ISC1862 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |