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RW1C026ZP датащи(PDF) 2 Page - Rohm

номер детали RW1C026ZP
подробное описание детали  Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET
PDF  12 Pages
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производитель  ROHM [Rohm]
домашняя страница  http://www.rohm.com
Logo ROHM - Rohm

RW1C026ZP датащи(HTML) 2 Page - Rohm

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background image
RW1C026ZP
　 　 　 　　 　
　 　 　 　 　 　 　 　
Datasheet
l
lThermal resistance
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
Parameter
Symbol
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - ambient
RthJA*2
-
179
-
℃/W
l
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Drain - Source breakdown
voltage
V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA
-20
-
-
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA
-
-21.9
-
mV/℃
　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃
Zero gate voltage
drain current
IDSS
VDS = -20V, VGS = 0V
-
-
-1
μA
Gate - Source leakage current
IGSS
VGS = ±10V, VDS = 0V
-
-
±10
μA
Gate threshold voltage
VGS(th)
VDS = -10V, ID = -1mA
-0.3
-
-1
V
Gate threshold voltage
temperature coefficient
　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA
-
2.4
-
mV/℃
　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃
Static drain - source
on - state resistance
RDS(on)*3
VGS = -4.5V, ID = -2.5A
-
50
70
mΩ
VGS = -2.5V, ID = -1.2A
-
65
90
VGS = -1.8V, ID = -1.2A
-
85
130
VGS = -1.5V, ID = -0.5A
-
100
200
Transconductance
gfs*3
VDS = -10V, ID = -2.5A
2.2
-
-
S
*1 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD
*3 Pulsed
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
www.rohm.com
© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20140707 - Rev.001



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