PK(PD,PE,KK)160F

;

;

Peak Forward Gate Voltage（10V）

Peak

Gate

Power

（

10W

）

Average

Gate

Power

（3

W）

Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit

125℃ 25℃

−30℃

２

１０

１

５

２

１０

０

１０

−１

２

５

Gate Characteristics

Gate Current（mA）

５

１０

１

１０

２

２

５

２

１０

３

２

５

５

２

２

２

５

１０

3

０．

５

１．

０

１．

５

３．

０

２．

５

２．

０

１０

１

１０

2

On-State Voltage max

On-State Voltage（V）

Per one element

D.C.

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

: Conduction Angle

360

。

2

５０

３５０

２５０

２００

１５０

１００

３００

０

０

１００

２５０

１５０

３００

２００

５０

Average On-State Current Vs Power Dissipation

（Single phase half wave）

Average On-State Current（A）

D.C.

Per one element

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

: Conduction Angle

360

。

2

１３０

１２０

１００

１１０

９０

８０

６０

７０

５０

０

１００

２００

１５０

３００

２５０

５０

Average On-State Current Vs Maximum Allowable

Case Temperature（Single phase half wave）

Average On-State Current（A）

２

２

５

５

６０００

４０００

３０００

２０００

１０００

５０００

０

１０

１

１０

０

１０

２

Ｔ

ｊ=２５℃ start

Per one element

60Hz

50Hz

Surge On-State Current Rating

（Non-Repetitive）

Time（cycles）

Per one element

Junction to case

０．

２

０．

１

０

１０

−３

１０

−２

１０

−１

１０

1

１０

０

Transient Thermal Impedance

Time

Conduction Angle 180゜

W3

B6

B2

W1

Rth:0.5℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.3℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

Rth:0.05℃/W

９０

１００

１１０

１２０

１２５

３００

４００

１００

２００

０

６０ ８０

２０４０

０

１２０

１００

１２００

４００

１０００

８００

２００

６００

Output Current

W１；Bidirectional connection

Output Current（A）

Ambient Temperature（℃）

Id（Ar.m.s.）

Rth:0.5℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.3℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

Rth:0.05℃/W

Rth:0.5℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.3℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

Rth:0.05℃/W

０

６０

４０

２０

８０

１２０

１００

１００

１１０

１２０

１２５

１００

９０

９０

１１０

１２０

１２５

０

４０

２０

８０

６０

１２０

１００

B２；Two Pluse bridge connection

Ambient Temperature（℃） Ambient Temperature（℃）

B６；Six pulse bridge connection

Ｗ３；Three phase

bidiretional connection

Id（Aav.）

Id（Aav.）

Id（Ar.m.s.）