BP 103

2000-01-01

3

OPTO SEMICONDUCTORS

Kennwerte (

T

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

max

Spectral range of sensitivity

max

λ

420

… 1130

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

0.12

mm

2

Abmessungen der Chipfläche

Dimensions of chip area

L

× B

L

× W

0.5

× 0.5

mm

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche

Distance chip front to case surface

H

0.2

… 0.8

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 55

Grad

deg.

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode

Photocurrent of collector-base photodiode

E

E

V

I

PCB

I

PCB

0.9

2.7

µA

µA

Kapazität

Capacitance

V

V

V

C

CE

C

CB

C

EB

8

11

19

pF

pF

pF

Dunkelstrom

Dark current

V

I

CEO

5 (

≤ 100)

nA