MBR20100CT ... MBR20200CT

Characteristics

Kennwerte

Type

Typ

Forward voltage

Durchlass-Spannung

Forward voltage

Durchlass-Spannung

1)

MBR20100CT

< tbd

5

25°C

< 0.85

10

25°C

MBR20150CT

< tbd

5

25°C

< 0.90

10

25°C

MBR20200CT

< tbd

5

25°C

< 0.95

10

25°C

Leakage current

Sperrstrom

< 50 µA

typ. 1 mA

Typical junction capacitance

Typische Sperrschichtkapazität

500 pF

Thermal resistance junction to case

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

< 1.5 K/W

2,3)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

Per diode − Pro Diode

2

Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)

3

Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

120

100

80

60

40

20

0

[%]

I

FAV

Rated forward current vs. temp. of the case )

3

Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses )

3

[°C]

T

C

150

100

50

0

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

10

2

10

1

10

-1

10

-2

[A]

I

F

0.2

V

F

0.6

0.8

[V]

1.2

M BR 2 0 2 0 0 CT

T = 2 5 °C

j

M BR 2 0 1 0 0 CT

M BR 2 0 1 5 0 CT