| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTP2N100 датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTP2N100 датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 4 page ![]() IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXTA2N100 IXTP2N100 IXYS REF: T_2N100(3X-G68)4-16-09 Fig. 7. Input Admittance 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 VGS - Volts TJ = 125ºC 25ºC - 40ºC Fig. 8. Transconductance 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 ID - Amperes TJ = - 40ºC 125ºC 25ºC Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 1 2 3 4 5 6 7 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VSD - Volts TJ = 125ºC TJ = 25ºC Fig. 10. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 2 4 6 8 1012 1416 18 QG - NanoCoulombs VDS = 500V I D = 1A I G = 10mA Fig. 11. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance 0.01 0.10 1.00 10.00 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width - Seconds |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |