| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF200B211 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF200B211 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF200B211,IIRF200B211 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID =250μA 200 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID =50μA 3 4.9 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS=10V; ID=7.2A 170 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±20V ±0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=200V; VGS= 0V 20 μ A VSD Diode forward voltage IS=7.2A; VGS = 0V 1.3 V |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |