 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
ACE1357B датащи(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE1357B датащи(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
1 / 6 page  ACE1357B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.1 1 Description These P-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology. Features VDS (V) = -20V,ID = -2A (VGS=-4.5V) RDS(ON)<120mΩ @ VGS= -4.5V RDS(ON)<150mΩ @ VGS= -2.5V TSOT-23-3 Package Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (Continuous) TA=25℃ ID -2 A TA=70℃ -1.8 Drain Current (Pulsed) IDM -7 A Power Dissipation TA=25℃ PD 1 W Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type TSOT-23-3 Ordering information ACE1357B XXX + H BMS: TSOT-23-3 Pb - free Halogen - free |
Аналогичный номер детали - ACE1357B |
|
Аналогичное описание - ACE1357B |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
