MMBT7002K

MMBT7002K

N-Channel Enhancement Mode FET

= 300 mA

= 150°C

= 350 mW

Version 2017-05-30

SOT-23

(TO-236)

1 = G

2 = S

3 = D

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing, Logic level

converter, Drivers

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung, Pegel-

wandler, Treiberstufen

Features

ESD protected Gate

Fast switching times

Compliant to RoHS, REACH,

Besonderheiten

ESD geschütztes Gate

Schnelle Schaltzeiten

Konform zu RoHS, REACH,

Taped and reeled

3000 / 7“

Gegurtet auf Rolle

Weight approx.

0.01 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

260°C/10s

Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 1

Gate

protection

diode

Type

Code

K72

Maximum ratings 2)

Drain-Source-voltage

Drain-Source-Spannung

60 V

Gate-Source-voltage

Gate-Source-Spannung

dc

ESD

± 20 V

± 2 kV

Power dissipation

Verlustleistung

350 mW

Drain current

Drainstrom

dc

300 mA

Peak Drain current

Drain-Spitzenstrom

800 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

Pb

RoHS

1.1

+0.1

1

2

3

Type

Code

-0.05

-0.2

G

D

S