CGHV14800 pdf, CGHV14800 подробное описание детали, CGHV14800 датащи, CGHV14800 view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	CGHV14800

подробное описание детали	800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

объем файла	765.37 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9

производитель	CREE [Cree, Inc]

домашняя страница	http://www.cree.com/

Logo

Аналогичный номер детали - CGHV14800

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
WOLFSPEED, INC.	CGHV14800F1	1Mb / 18P	DC-1.4 GHz, 800 W GaN Transistor Rev. 0.0 July 2022

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Microsemi Corporation	1214-800P	83Kb / 2P	800 Watts - 300關s, 10%, 50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz
Cree, Inc	CGHV14250	1Mb / 11P	250 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems Rev 1.0
	CGHV14500	1Mb / 11P	500 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems Rev 3.1
	CGHV35150	853Kb / 10P	150 W, 2900 - 3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Rev 1.0
	CGHV37400F	815Kb / 11P	400 W, 3500 - 3700 MHz, 50-Ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for S-Band Radar Systems
	GTVA126001EC	615Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 600 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz
WOLFSPEED, INC.	CGHV14250	1Mb / 12P	250 W, DC - 1.6 GHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems Rev. 3.0, 2022-9-30
	CGHV14500	3Mb / 20P	500 W, DC - 1800 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems Rev. 5.0, 2022-7-27
	CGHV35120F	837Kb / 12P	120 W, 2.9 - 3.8 GHz, 50 V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Rev. 1.0, 2022-8-3
	CGHV35150	1Mb / 10P	150 W, 2900 - 3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Rev.1.4, 2022-12-2