PXAC201602FC pdf, PXAC201602FC подробное описание детали, PXAC201602FC датащи, PXAC201602FC view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	PXAC201602FC

подробное описание детали	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 ??1920 MHz, 2010 ??2025 MHz

объем файла	402.85 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9

производитель	INFINEON [Infineon Technologies AG]

домашняя страница	http://www.infineon.com

Logo

Аналогичный номер детали - PXAC201602FC

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Cree, Inc	PXAC201602FC	529Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 - 1920 MHz, 2010 - 2025 MHz

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PXFC193808SV	196Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 380 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.1, 2015-01-13
	PXAC203302FV	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 330 W, 28 V, 1880 ??2025 MHz Rev. 02.1, 2016-06-22
	PXAC182002FC	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.3, 2016-06-17
	PXAD184218FV	339Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.1, 2016-12-07
Cree, Inc	PXAE184408NB	1Mb / 6P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAC182002FC	495Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PTFB181702FC	554Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAC201602FC	529Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 - 1920 MHz, 2010 - 2025 MHz
	PXAC203302FV	436Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 330 W, 28 V, 1880 - 2025 MHz
	PXFE181507FC	550Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 175 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz