PXAC261002FC pdf, PXAC261002FC подробное описание детали, PXAC261002FC датащи, PXAC261002FC view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	PXAC261002FC

подробное описание детали	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2490 ??2690 MHz

объем файла	162.1 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8

производитель	INFINEON [Infineon Technologies AG]

домашняя страница	http://www.infineon.com

Logo

Аналогичный номер детали - PXAC261002FC

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Cree, Inc	PXAC261002FC	634Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2490 ??2690 MHz

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PXAC261212FC	1Mb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 2496 ??2690 MHz Rev. 02.2, 2016-06-22
	PTFC262808SV	180Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz Rev. 02.1, 2013-08-02
	PTFC262157FH	1Mb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz Rev. 03.1, 2016-06-21
	PTFC261402FC	231Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz Rev. 05, 2016-06-21
	PTFC260202FC	870Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 28 V, 2495 ??2690 MHz Rev. 03.3, 2016-06-21
	PTFC262808FV	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz Rev. 03, 2016-06-22
Cree, Inc	PXAC261002FC	634Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2490 ??2690 MHz
	PXAC261212FC	557Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 2496 ??2690 MHz
	PTFC261402FC	322Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz
	PTFC262808FV	806Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz