2SK667 pdf, 2SK667 подробное описание детали, 2SK667 датащи, 2SK667 view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	2SK667

подробное описание детали	Drain Source Voltage-: VDSS= 400V(Min)

объем файла	64.53 Kbytes

Html View	1 2

производитель	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

домашняя страница	http://www.iscsemi.cn

Logo

Аналогичный номер детали - 2SK667

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
NEC	2SK660	38Kb / 8P	N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM
NEC	2SK660	39Kb / 2P	Field Effect Transistor
Renesas Technology Corp	2SK660	204Kb / 10P	JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2002
Panasonic Semiconductor	2SK662	33Kb / 2P	Silicon N-Channel Junction FET
Panasonic Semiconductor	2SK662	84Kb / 3P	Silicon N-Channel Junction FET

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
New Jersey Semi-Conduct...	2N3970	164Kb / 1P	DRAIN-SOURCE VOLTAGE
	2N5265	157Kb / 1P	DRAIN-SOURCE VOLTAGE
	BUZ80A	88Kb / 3P	Drain source voltage
Vincotech	V23990-P622-F74-D1-14	600Kb / 11P	Drain to source voltage
Inchange Semiconductor ...	2SK610	64Kb / 2P	Drain Source Voltage-: VDSS= 400V(Min)
	2SK617	67Kb / 2P	Drain Source Voltage-: VDSS= 800V(Min)
	2SK627	64Kb / 2P	Drain Source Voltage-: VDSS= 50V(Min)
	2SK629	64Kb / 2P	Drain Source Voltage-: VDSS= 100V(Min)
	BU408	190Kb / 2P	High Voltage: VCEV= 400V(Min)
New Jersey Semi-Conduct...	ZVN0106A	85Kb / 1P	Drain-source voltage