MTP4N80E pdf, MTP4N80E подробное описание детали, MTP4N80E датащи, MTP4N80E view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	MTP4N80E

подробное описание детали	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHM

объем файла	159.11 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8

производитель	MOTOROLA [Motorola, Inc]

домашняя страница	http://www.freescale.com

Logo

Аналогичный номер детали - MTP4N80E

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
New Jersey Semi-Conduct...	MTP4N80E	115Kb / 2P	N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
Inchange Semiconductor ...	MTP4N80E	301Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Motorola, Inc	MTB4N80E	195Kb / 10P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS
	MTB4N80E1	160Kb / 8P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS
	MTD1N80E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM
	MTD4N20E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHM
	MTP3N100E	206Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM
	MTP3N120E	252Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
	MTP3N25E	208Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
	MTP4N40E	239Kb / 8P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.8 OHM
	MTW7N80E	220Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTY16N80E	239Kb / 8P	TMOS POWER FET 16 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 0.50 OHM