Handwound pdf, Handwound подробное описание детали, Handwound датащи, Handwound view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	Handwound

подробное описание детали	RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

объем файла	857.08 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

домашняя страница	http://www.freescale.com

Logo

Аналогичный номер детали - Handwound

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
NXP Semiconductors	HANDWOUND	634Kb / 20P	RF Power LDMOS Transistors Rev. 0, 09/2018

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Freescale Semiconductor...	MRF6S19140HR3	404Kb / 11P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	AFT21S230SR3	559Kb / 15P	RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
	MRF6VP3091N	1Mb / 20P	RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
	MRFE6VP8600H	1Mb / 20P	RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
NXP Semiconductors	AFM906N	701Kb / 16P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 1, 8/2016
	AFM907N	766Kb / 16P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 04/2017
	AFT05MP075N	1Mb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 1, 8/2014
	AFT09MP055N	965Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 7/2013
	MRF1K50N	827Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 11/2016
	MMRF1050H	424Kb / 12P	RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 02/2021